Un equipo de la Universidad de Xidian, en China, consiguió que una estructura de nitruro de aluminio y escandio (AlScN) y nitruro de aluminio (AlN) resistiera más de 10.000 millones de ciclos de escritura. El resultado aborda uno de los principales límites de este tipo de materiales: la pérdida de rendimiento después de escribir y borrar datos muchas veces. Los investigadores presentaron el trabajo en un artículo publicado en Science.
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Cómo evitaron el deterioro
La wurtzita es una estructura cristalina presente en ciertos materiales, no el nombre de una memoria ni de un elemento químico. En el caso del AlScN, sus propiedades ferroeléctricas permiten mantener dos estados de polarización que podrían representar ceros y unos sin necesidad de alimentación eléctrica constante. Esa característica despertó interés por su posible uso en memorias no volátiles más pequeñas y rápidas.
El obstáculo estaba en las vacantes de nitrógeno, defectos que se acumulan y se desplazan dentro del material durante el uso. El equipo encabezado por Ruiqing Wang diseñó una estructura de capas de AlScN y AlN para limitar ese movimiento. También aplicó un protocolo de recuperación eléctrica que contribuyó a prolongar la resistencia del dispositivo.
Del laboratorio a la fabricación
El récord de ciclos no es exclusivo del trabajo de Xidian: otro equipo informó en enero de 2026 una resistencia superior a 10.000 millones de ciclos con condensadores ferroeléctricos de AlScN. La diferencia del estudio chino reside en confinar las vacantes de nitrógeno para reducir la degradación. Aun así, quedan por resolver cuestiones de fabricación a gran escala, densidad, velocidad y consumo antes de pensar en un reemplazo de las memorias DRAM o NAND actuales.
Para China, avanzar en esta investigación también tiene una dimensión industrial. Sus centros de datos de inteligencia artificial dependen en gran medida de memorias de alto ancho de banda suministradas por fabricantes como SK hynix, Samsung y Micron. El desarrollo de materiales con estructura de wurtzita podría abrir otra línea tecnológica a futuro, pero este resultado experimental no equivale todavía a una alternativa comercial para las memorias HBM.
